legolas pisze:\(\displaystyle{ k_u=-\frac{\beta\cdot R_L }{r_{be}-\beta\cdot k_f\cdot R_L}}\)
nadal nie widzę związku z \(\displaystyle{ R_2}\), czy też \(\displaystyle{ R_1}\)
Ok. Inaczej można to zapisać:
\(\displaystyle{ k_{u}=\frac{-\frac{\beta}{r_{be}}}{\frac{1}{R_{C}}+\frac{1}{R_{O}}+\frac{1}{r_{ce}}-\frac{k_{f}\beta}{r_{be}}}}\)
Edycja ze względu na nieprawidłowy indeks w pewnym miejscu.
legolas pisze:Jak wyznaczysz wzór, to wtedy należy rozważyć zmienność parametrów małosygnałowych tranzystora w zależności od punktu pracy, w tym właśnie od prądu kolektora w pierwszej kolejności
Jedyne co mi przychodzi do głowy to napisać
\(\displaystyle{ r_{be}=\beta\cdot\frac{\varphi_T}{I_C}}\)
To jest jakaś przybliżona zależność. Jak definiuje się parametry małosygnałowe tranzystora na podstawie charakterystyk statycznych tranzystora? i jak zależą one od prądu kolektora/emitera?
legolas pisze:\(\displaystyle{ \frac{I_E}{\beta}R_{B}+U_{BE}+I_{E}R_{E}=E_{B}=\text{const.}}\)
ok, to jest jasne
W takim razie również jest jasne, że:
\(\displaystyle{ \begin{cases} R_{B}I_{B}+U_{BE}+R_{E}I_{E}=E_{B}=\text{const.}\\ R_{B}\left (I_{B}+\Delta I_{B} \right )+U_{BE}+\Delta U_{BE}+R_{E}\left (I_{E}+\Delta I_{E} \right )=E_{B}=\text{const.} \end{cases}}\)
Stąd:
\(\displaystyle{ R_{B}\Delta I_{B}+\Delta U_{BE}+R_{E}\Delta I_{E}=0}\)
Przy czym:
\(\displaystyle{ I_B=\frac{I_E}{\beta} \implies \Delta I_{B}=\frac{I_{E}+\Delta I_{E}}{\beta+\Delta \beta} \approx \frac{I_{E}}{\beta}+\frac{\Delta I_{E}}{\beta}-\frac{I_E}{\beta^{2}}\Delta \beta}\)
Sekwencyjnie należy na to spoglądać i rozważać małe przyrosty.
Jeśli wzrośnie prąd
\(\displaystyle{ I_{C}}\) (
\(\displaystyle{ I_{E}}\)), to wzrośnie napięcie na
\(\displaystyle{ R_{E}}\). Spowoduje to zmiejszenie
\(\displaystyle{ U_{BE}}\) i
\(\displaystyle{ I_{B}}\), a zmniejszenie prądu bazy przeciwdziała wzrostowi prądu
\(\displaystyle{ I_{C}}\) oraz
\(\displaystyle{ I_{E}}\)
Jeśli tej sekwencji nie czujesz, to może popatrz na to w ten sposób:
\(\displaystyle{ \frac{I_E}{\beta}R_{B}+U_{BE}+I_{E}R_{E}=E_{B}=\text{const.} \Rightarrow
I_E=\frac{E_B-U_{BE}}{R_E+ \frac{R_B}{\beta} }}\)
Dla przypomnienia:
\(\displaystyle{ E_{B}=\frac{R_{2}}{R_{1}+R_{2}}U_{CC}, \quad R_{B}=R_{1}||R_{2}}\)
Patrząc na wzór na prąd emitera, zobacz kiedy
\(\displaystyle{ I_{E}}\) jest najbardziej czułe na zmiany
\(\displaystyle{ U_{BE}}\) oraz
\(\displaystyle{ \beta}\)? Czy wtedy, kiedy
\(\displaystyle{ R_{E}}\) jest większe, czy wtedy kiedy
\(\displaystyle{ R_{E}}\) jest mniejsze? Zależy nam na tym, żeby punkt pracy tranzystora był jak najbardziej stabilny. Jeśli zmienia się punkt pracy tranzystora, to zmieniają się parametry małosygnałowe tranzystora, a to pociąga za sobą zmianę parametrów wzmacniacza (wzmocnienie napięciowe itd.).
legolas pisze: Chodzi mi o to, że skoro
\(\displaystyle{ I_B=\frac{I_E}{\beta}}\)
to czemu nie jest
\(\displaystyle{ I_B+\Delta I_B=\frac{I_E}{\beta + \Delta \beta}}\)?
Ja rozpatrywałem przypadek dowolny, zatem trzeba przyjąć zmianę wszystkich wielkości (tylko
\(\displaystyle{ R_1, R_2, R_C, R_E, U_{CC}}\) uznajemy za stałe).
legolas pisze:\(\displaystyle{ \frac{I_{E}+\Delta I_{E}}{\beta+\Delta \beta} \approx \frac{I_{E}}{\beta}+\frac{\Delta I_{E}}{\beta}-\frac{I_E}{\beta^{2}}\Delta \beta}\)
Tu to nie mam pojęcia, jak to z Taylora wyszło
Przypomnij sobie wzór Taylora dla funkcji wielu zmiennych.
